创新推动半导体技术进步 香港科技大学成功开发深紫外MicroLED阵列

  在全球半导体技术持续不断的发展的背景下，香港科技大学的研究团队举行了一次引人瞩目的发布会，宣布他们成功开发了一种用于光刻机的新型深紫外（UVC）微型LED显示阵列。这一成果不仅标志着半导体技术的重大进步，更为集成电路的生产带来了新的机遇。研究结果已于近期发表在国际知名期刊《自然▪光子学》上，显示出其在学术界和产业界的潜在影响力。

  科技的进步往往伴随着对生活所有的领域的深远影响。半导体制造业作为现代电子设备的基础，其技术革新特别的重要。传统光刻工艺中采用的汞灯和深紫外LED光源，因存在设备体积大、能效低、光效率差等缺陷，影响了半导体制造精度和效率。近年来，无掩膜光刻技术因其经济性和灵活性逐渐受到关注，此次香港科技大学团队的创新正是在此背景下进行的。

  该项目由香港科技大学先进显示与光电技术国家重点实验室的创始人及主任，KWOK Hoi-Sing教授领导，同时与南方科技大学和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的研究人员合作。研究团队开发的UVC microLED显示阵列，在光输出功率密度方面表现卓越，可以通过减少曝光光刻胶膜所需的时间，达到更高效、更具成本效益的无掩膜光刻。

  教授KWOK Hoi-Sing在发布会上表示：“我们成功实现了高功率、高光效率和高分辨率图案显示的目标。这种深紫外微型LED显示芯片能够在极短时间内提供足够的辐照剂量，为半导体制造开辟了新的路径。”这一突破，将使得光刻过程中对于光源的需求发生变革，推动行业整体向着更高效的方向发展。

  光刻机作为半导体制造中至关重要的设备，其未来的发展的新趋势与微型LED的进步紧密关联。当前，传统的光源技术限制了光刻机操作的灵活性和成本效益，而香港科技大学的微型LED显示阵列则由小型化、高效能的设计特点，打破了这个瓶颈。

  在此研究中，博士后研究员FENG Feng补充道：“我们设计的设备不仅尺寸更小、驱动电压更低，还具有更高的外部量子效率和光功率密度。这使得我们的创新在各项指标上都有显著提升，成为全世界领先。”

  创新的潜力不仅在于技术本身，同时也引发了人们对光刻工艺未来发展的深思。第十届半导体国际论坛将该项技术评为2024年中国第三代半导体技术的十大进展之一，足以见证其在整个半导体领域的重要性。

  展望未来，研究团队计划逐步提升AlGaN深紫外微型LED的性能，同时优化其原型，开发2k至8k高分辨率深紫外微型LED显示器。这不仅将对半导体行业的生产效率产生积极影响，还将加速与光刻机有关产品的发展。

  这一研究进展彰显了当今科技领域对创新和高效率的追求，对于推动整个半导体产业链的进步具有深远的意义。随着深紫外MicroLED技术的不断成熟，我们有理由相信，未来的光刻技术将更高效、精准，带来更绚烂的科技时代。推动半导体技术不断前行的香港科技大学团队，正是这一时代的先锋，期待他们在未来的研究中带来更多惊喜。